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SAMSUNG
N° d'art. 2274591
SAMSUNG 990 EVO Plus Disque dur, 4 TB SSD M.2 via NVMe, Interne
Disponible en ligne
Livraison 16.06.2026 - 17.06.2026
+ CHF 0.–
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Ses 3 atouts majeurs
Performances
- Vitesse d'écriture séquentielle allant jusqu'à 7250 Mo/s, soit 45 % de plus que le modèle précédent.
Efficacité énergétique
- Efficacité énergétique améliorée de 73 % pour plus de Mo/s par watt, en maintenant les performances et le contrôle thermique.
Polyvalence
- Capacité étendue allant jusqu'à 4 To et IntelligentTurboWrite 2.0 rapide avec région TurboWrite élargie.
Une vitesse spectaculaire au quotidien
Accomplis tes tâches plus rapidement. Grâce à la toute dernière NAND, le 990 EVO Plus offre des vitesses de lecture/écriture séquentielle optimisées allant jusqu'à 7250/6300 Mo/s. Même avec des fichiers volumineux, le transfert est instantané.
* Les performances d'écriture séquentielles et aléatoires ont été mesurées avec la technologie intelligente TurboWrite activée. La technologie intelligente TurboWrite fonctionne uniquement avec un certain volume de transfert de données. Les performances peuvent varier selon le micrologiciel du SSD, les composants et la configuration du système ainsi que d'autres facteurs. Pour des informations détaillées, contacte ton centre de services local.
** Configuration du système utilisé pour les tests : AMD Ryzen9 7950x 16-Core Processor [email protected], DDR5 4800MHz 16GBx2 (PC5-38400), OS-Windows 11 Pro 64bit, Chipset - ASRock X670E Taichi
*** Pour maximiser les performances du EVO Plus, vérifie sur le site Internet d'Intel ou d'AMD si ton système prend en charge la norme PCIe® 4.0 ou PCIe® 5.0.
**** L'image du produit peut différer du produit réel.
Assure pleinement dans tes tâches quotidiennes sans risque de surchauffe
Une efficacité optimisée, des performances accrues. Le contrôleur recouvert d'une couche de nickel augmente de 73 % le nombre de Mo/s par watt, offrant le même niveau de puissance et le même contrôle thermique tout en consommant moins d'énergie. Reste concentré sur ton travail ou joue sans te soucier de la surchauffe ou de l'autonomie de la batterie.
Plus d'espace. Plus de vitesse.
Exploite toute la puissance de ton disque grâce à la technologie Intelligent TurboWrite 2.0 améliorée. Traite plus rapidement les gros volumes de données et charge les graphismes lourds en un touurnemain grâce à une région TurboWrite élargie, désormais disponible en capacité de 4 To.
Logiciel Samsung Magician
Profite d’un SSD magique. Les outils d’optimisation du logiciel Magician de Samsung garantissent les meilleures prestations possibles. C’est la manière simple et sûre de migrer toutes tes données pour mettre à niveau ton SSD Samsung. Protège tes précieuses données, suis l’état de santé de ton disque et reçois les dernières mises à jour de micrologiciels.
* Pour plus de détails, consulte le site du logiciel Samsung Magician à l’adresse ttps://semiconductor.samsung.com/consumer-storage/magician/
Donner vie à l'innovation
Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung est présente dans des solutions technologiques révolutionnaires qui ont révolutionné notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également nos disques SSD grand public, permettant une nouvelle grande vague d'innovations.
Caractéristiques techniques | |
|---|---|
Type de disque dur | SSD |
Conception | Interne |
Connexions | PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0 |
Interface disque dur | M.2 via NVMe |
Capacité de mémoire | 4 TB |
Débit de transfert | Vitesse de lecture séquentielle : jusqu'à 7 250 Mo/s (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système), Vitesse d'écriture séquentielle : jusqu'à 6 300 Mo/s (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système) |
Velocité de transfert (lire) | 7.250 MB/s |
Velocité de transfert (écrire) | 6.3000 MB/s |
Format du disque dur | M.2 |
Équipement | |
|---|---|
Protocole de transport | NVMe™ 2.0 |
Résistance aux chocs | 1500 G, durée de 0,5 ms (onde demi-sinusoïdale) |
Caractéristiques spécifiques | Forme : M.2 (2280), Cryptage AES 256 bits (classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (lecteur crypté), Samsung V-NAND TLC (mémoire), Contrôleur propriétaire Samsung, HMB (Host Memory Buffer) (mémoire cache), prise en charge TRIM, prise en charge SMART, GC (Garbage Collection - Ramasse-miettes) : Auto Garbage Collection Algorithm, prise en charge du mode Device Sleep, Vitesse de lecture aléatoire (4 Ko, QD 32) : jusqu'à 1 000 000 IOPS (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système), Vitesse d'écriture aléatoire (4 Ko, QD 32) : jusqu'à 1 450 000 IOPS (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système), Tension admissible : 3,3 V ± 5 %, Fiabilité (MTBF) : 1,5 million d'heures (MTBF), Consommation moyenne : lecture 5,5 W, écriture : 4,8 W (la consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système), Consommation électrique (DPMS) : max. 60 mW (la consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système), Software management : Magician Software pour SSD Management, Utilisation : Client PCs |
Caractéristiques générales | |
|---|---|
Type de produit | Disque dur |
Dimensions (L/H/P) / poids | 80.15 mm x 22.15 mm x 2.38 mm / 9 g |
Série | 990 EVO Plus |
Couleur | Noir |
Largeur | 80.15 mm |
Hauteur | 22.15 mm |
Profondeur | 2.38 mm |
Poids | 9 g |
Poids | 9 g |
Contenu de la livraison | SSD 990 EVO Plus NVMe M.2, guide d'installation |
Dimensions d’emballage (L/H/P) (cm) | 98 mm / 20 mm / 144 mm |
Variante(s) | 4 To |
Manufacturer Part Number (MPN) | MZ-V9S4T0BW |
| Sécurité générale des produits |
|---|
| GTIN8806095575667 |
| Type de produitDisque dur |